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BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

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BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

descripción
Número de parte: BUK9K29-100E, 115 Fabricante: Nexperia los USA Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: Automotriz, AEC-Q101, TrenchMOS™

BUK9K29-100E, 115 especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 100V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 30A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 27 mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 54nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 3491pF @ 25V
Poder - máximo 68W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-1205, 8-LFPAK56
Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK56D
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

BUK9K29-100E, 115 que empaquetan

Detección

BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 0BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 1BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 3

Contacto
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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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