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Transistores IGBTs del módulo de poder de NGTB40N120FL2WG IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
NGTB40N120FL2WG
Fabricante:
EN el semiconductor
Descripción:
IGBT 1200V 80A 535W TO247
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción

Especificaciones de NGTB40N120FL2WG

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 1200V
Actual - colector (Ic) (máximo) 80A
Actual - colector pulsado (Icm) 200A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Poder - máximo 535W
Energía que cambia 3.4mJ (encendido), 1.1mJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 313nC
TD (con./desc.) @ 25°C 116ns/286ns
Condición de prueba 600V, 40A, 10 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 240ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de NGTB40N120FL2WG

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable