Transistores IGBTs del módulo de poder de STGB5H60DF IGBT solo
Especificaciones
Número de parte:
STGB5H60DF
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
PUERTA FIELD-STOP IGBT, H S DEL FOSO
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de STGB5H60DF
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 600V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 10A |
Actual - colector pulsado (Icm) | 20A |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 5A |
Poder - máximo | 88W |
Energía que cambia | 56µJ (encendido), 78.5µJ (apagado) |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 43nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 30ns/140ns |
Condición de prueba | 400V, 5A, 47 ohmios, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | 134.5ns |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de STGB5H60DF
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable