Transistores IGBTs del módulo de poder de FGD3N60UNDF IGBT solo
Especificaciones
Número de parte:
FGD3N60UNDF
Fabricante:
Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción:
IGBT 600V 6A 60W DPAK
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción
Especificaciones de FGD3N60UNDF
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo de IGBT | NPT |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 600V |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 6A |
Actual - colector pulsado (Icm) | 9A |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.52V @ 15V, 3A |
Poder - máximo | 60W |
Energía que cambia | 52µJ (encendido), 30µJ (apagado) |
Tipo entrado | Estándar |
Carga de la puerta | 1.6nC |
TD (con./desc.) @ 25°C | 5.5ns/22ns |
Condición de prueba | 400V, 3A, 10 ohmios, 15V |
Tiempo de recuperación reversa (trr) | 21ns |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de FGD3N60UNDF
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable