Transistores IGBTs del módulo de poder de IKD06N60RAATMA1 IGBT solo
Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
IKD06N60RAATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT 600V 12A 100W TO252
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Serie:
TrenchStop™
Introducción
Especificaciones IKD06N60RAATMA1
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 600V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 12A |
| Actual - colector pulsado (Icm) | 18A |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6A |
| Poder - máximo | 100W |
| Energía que cambia | 110µJ (encendido), 220µJ (apagado) |
| Tipo entrado | Estándar |
| Carga de la puerta | 48nC |
| TD (con./desc.) @ 25°C | 12ns/127ns |
| Condición de prueba | 400V, 6A, 23 ohmios, 15V |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | 68ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado IKD06N60RAATMA1
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable