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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3025LSS-13 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3025LSS-13 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3025LSS-13 solos

descripción
Número de parte: DMN3025LSS-13 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones DMN3025LSS-13

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 7.2A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 641pF @ 15V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 1.4W (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMN3025LSS-13

Detección

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