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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de DMP32D4SFB-7B solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de DMP32D4SFB-7B solos

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Datos del producto:
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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de DMP32D4SFB-7B solos

descripción
Número de parte: DMP32D4SFB-7B Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de DMP32D4SFB-7B

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 400mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 1.3nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 51pF @ 15V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 500mW (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 2,4 ohmios @ 200mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete/caso 3-UFDFN
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de DMP32D4SFB-7B

Detección

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