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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN2005K-7 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN2005K-7 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN2005K-7 solos

descripción
Número de parte: DMN2005K-7 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones DMN2005K-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 300mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.7V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 900mV @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds -
Vgs (máximo) ±10V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 350mW (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,7 ohmios @ 200mA, 2.7V
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMN2005K-7

Detección

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