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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SQ2303ES-T1_GE3 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SQ2303ES-T1_GE3 solos

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Datos del producto:
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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SQ2303ES-T1_GE3 solos

descripción
Número de parte: SQ2303ES-T1_GE3 Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CHAN 30V SOT23 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: Automotriz, AEC-Q101, TrenchFET®

Especificaciones SQ2303ES-T1_GE3

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.5A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 210pF @ 25V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 1.9W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236 (SOT-23)
Paquete/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SQ2303ES-T1_GE3

Detección

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