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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG302PU-7 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG302PU-7 solos

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG302PU-7 solos
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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG302PU-7 solos

descripción
Número de parte: DMG302PU-7 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones DMG302PU-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 25V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 170mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 27.2pF @ 10V
Vgs (máximo) 8V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 320mW (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 10 ohmios @ 200mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMG302PU-7

Detección

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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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