|
Datos del producto:
|
| Número de parte: | TK11P65W, RQ | Fabricante: | Semiconductor y almacenamiento de Toshiba |
|---|---|---|---|
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S | Categoría: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
| Familia: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos | Serie: | DTMOSIV |
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 650V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 11.1A (TA) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.5V @ 450µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 890pF @ 300V |
| Vgs (máximo) | ±30V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 100W (Tc) |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 440 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
| Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135
