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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRFR224PBF solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRFR224PBF solos

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRFR224PBF solos

descripción
Número de parte: IRFR224PBF Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de IRFR224PBF

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 250V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 3.8A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 14nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 260pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 2.5W (TA), 42W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,1 ohmios @ 2.3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete/caso TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRFR224PBF

Detección

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