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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STL100N6LF6 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STL100N6LF6 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STL100N6LF6 solos

descripción
Número de parte: STL100N6LF6 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI

Especificaciones STL100N6LF6

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 100A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 130nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 8900pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 4.8W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 4,5 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor PowerFlat™ (5x6)
Paquete/caso 8-PowerSMD, ventajas planas
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STL100N6LF6

Detección

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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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