|
Datos del producto:
|
| Número de parte: | PSMN7R8-100PSEQ | Fabricante: | Nexperia los USA Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V SIL3 | Categoría: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
| Familia: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 100V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 100A (Tj) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 128nC @ 10V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 7110pF @ 50V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 294W (Tc) |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 7,8 mOhm @ 25A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete/caso | TO-220-3 |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135
