Enviar mensaje
Inicio ProductosTransistor de efecto de campo

PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos

Estoy en línea para chatear ahora

PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos

PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos
PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos

Ampliación de imagen :  PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos

descripción
Número de parte: PSMN8R7-80PS, 127 Fabricante: Nexperia los USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 80V TO220AB Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

PSMN8R7-80PS, 127 especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 80V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 90A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 52nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 3346pF @ 40V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 170W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 8,7 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete/caso TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

PSMN8R7-80PS, 127 que empaquetan

Detección

PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos 0PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos 1PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos 2PSMN8R7-80PS, 127 MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo solos 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)