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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRFS41N15DPBF solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRFS41N15DPBF solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRFS41N15DPBF solos

descripción
Número de parte: IRFS41N15DPBF Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: HEXFET®

Especificaciones de IRFS41N15DPBF

Situación de la parte No para los nuevos diseños
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 150V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 41A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 110nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 2520pF @ 25V
Vgs (máximo) ±30V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 3.1W (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 45 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete/caso TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRFS41N15DPBF

Detección

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