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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SIHG25N40D-GE3 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SIHG25N40D-GE3 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SIHG25N40D-GE3 solos

descripción
Número de parte: SIHG25N40D-GE3 Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones SIHG25N40D-GE3

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 400V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 25A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 88nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1707pF @ 100V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 278W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 170 mOhm @ 13A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete/caso TO-247-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SIHG25N40D-GE3

Detección

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