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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STB22NM60N solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STB22NM60N solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STB22NM60N solos

descripción
Número de parte: STB22NM60N Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: MDmesh™ II

Especificaciones de STB22NM60N

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 16A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1300pF @ 50V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 125W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 220 mOhm @ 8A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete/caso TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de STB22NM60N

Detección

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