MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STFW1N105K3 solos
Especificaciones
Número de parte:
STFW1N105K3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie:
SuperMESH3™
Introducción
Especificaciones STFW1N105K3
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 1050V (1.05kV) |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4.5V @ 50µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 180pF @ 100V |
Vgs (máximo) | ±30V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 20W (Tc) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 11 ohmios @ 600mA, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3PF |
Paquete/caso | Paquete completo TO-3P-3 |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado STFW1N105K3
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable