MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STFI13NK60Z solos
Especificaciones
Número de parte:
STFI13NK60Z
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
Punto de congelación del MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie:
SuperMESH™
Introducción
Especificaciones de STFI13NK60Z
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 600V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 13A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4.5V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 2030pF @ 25V |
Vgs (máximo) | ±30V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 35W (Tc) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 550 mOhm @ 4.5A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAKFP (TO-281) |
Paquete/caso | Paquete completo TO-262-3, yo ² Pak |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de STFI13NK60Z
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable