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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SIHF15N60E-E3 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SIHF15N60E-E3 solos

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SIHF15N60E-E3 solos

descripción
Número de parte: SIHF15N60E-E3 Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: mi

Especificaciones SIHF15N60E-E3

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 15A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 78nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1350pF @ 100V
Vgs (máximo) ±30V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 34W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 280 mOhm @ 8A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor Paquete completo TO-220
Paquete/caso Paquete completo TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SIHF15N60E-E3

Detección

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