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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRLZ44SPBF solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRLZ44SPBF solos

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRLZ44SPBF solos

descripción
Número de parte: IRLZ44SPBF Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de IRLZ44SPBF

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 50A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 66nC @ 5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 3300pF @ 25V
Vgs (máximo) ±10V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 3.7W (TA), 150W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 28 mOhm @ 31A, 5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete/caso TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRLZ44SPBF

Detección

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