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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SCT3160KLGC11 solos

Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negociable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
SCT3160KLGC11
Fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Introducción

Especificaciones SCT3160KLGC11

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología SiCFET (carburo de silicio)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 17A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5.6V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 42nC @ 18V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 398pF @ 800V
Vgs (máximo) +22V, -4V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 103W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 208 mOhm @ 5A, 18V
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Paquete/caso TO-247-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SCT3160KLGC11

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable