MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SIHS36N50D-E3 solos
Especificaciones
Número de parte:
SIHS36N50D-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Introducción
Especificaciones SIHS36N50D-E3
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 500V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 36A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 3233pF @ 100V |
Vgs (máximo) | - |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 446W (Tc) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 130 mOhm @ 18A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete del dispositivo del proveedor | SUPER-247 (TO-274AA) |
Paquete/caso | TO-247-3 |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado SIHS36N50D-E3
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable