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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3052LSS-13 solos

Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
DMN3052LSS-13
Fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Introducción

Especificaciones DMN3052LSS-13

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 7.1A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 555pF @ 5V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 2.5W (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 30 mOhm @ 7.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMN3052LSS-13

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable