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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G22LS-205VJ

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G22LS-205VJ

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G22LS-205VJ
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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G22LS-205VJ

descripción
Número de parte: BLF8G22LS-205VJ Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLF8G22LS-205VJ

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.11GHz ~ 2.17GHz
Aumento 18.3dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.2A
Poder - salida 50.1W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1239B
Paquete del dispositivo del proveedor CDFM6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLF8G22LS-205VJ

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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