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BLF8G27LS-140V, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

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BLF8G27LS-140V, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

BLF8G27LS-140V, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

descripción
Número de parte: BLF8G27LS-140V, 118 Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

BLF8G27LS-140V, 118 especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.63GHz ~ 2.69GHz
Aumento 17.4dB
Voltaje - prueba 32V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.3A
Poder - salida 45W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1120B
Paquete del dispositivo del proveedor CDFM6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

BLF8G27LS-140V, 118 que empaquetan

Detección

BLF8G27LS-140V, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 0BLF8G27LS-140V, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 1BLF8G27LS-140V, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 2BLF8G27LS-140V, microprocesador del RF de 118 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

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