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BLS7G3135L-350P, microprocesador del RF de 11 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

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BLS7G3135L-350P, microprocesador del RF de 11 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

BLS7G3135L-350P, microprocesador del RF de 11 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

descripción
Número de parte: BLS7G3135L-350P, 11 Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 65V 10DB SOT539A del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

BLS7G3135L-350P, 11 especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia 3.5GHz
Aumento 10dB
Voltaje - prueba 32V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 200mA
Poder - salida 320W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT539A
Paquete del dispositivo del proveedor SOT539A
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

BLS7G3135L-350P, 11 que empaquetan

Detección

BLS7G3135L-350P, microprocesador del RF de 11 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 0BLS7G3135L-350P, microprocesador del RF de 11 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 1BLS7G3135L-350P, microprocesador del RF de 11 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 2BLS7G3135L-350P, microprocesador del RF de 11 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 3

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