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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G09LS-400PGWQ

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G09LS-400PGWQ

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G09LS-400PGWQ

descripción
Número de parte: BLF8G09LS-400PGWQ Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLF8G09LS-400PGWQ

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia 718.5MHz ~ 725.5MHz
Aumento 20.6dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 3.4A
Poder - salida 95W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1242C
Paquete del dispositivo del proveedor CDFM8
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLF8G09LS-400PGWQ

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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