MOSFETs P-CH 20V 4A de los transistores del FET de los tiristores de los diodos del transistor de efecto de campo AO3415
MOSFETs P-CH 20V 4A de los transistores del FET de los tiristores de los diodos del transistor de efecto de campo AO3415
- El AO3415A utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas con los voltajes de la puerta tan bajos como 1.8V. Este dispositivo es conveniente para el uso como usos de un interruptor de la carga
Número de parte interno | AO3415 | |
Situación sin plomo/situación de RoHS | Sin plomo/RoHS obediente | |
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) | |
Situación de la producción (ciclo vital) | En la producción | |
Condición | Nuevo y inusitado, original sellado | |
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Asamblea/origen del PCN | Proveedor 29/Oct/2013 de la oblea del MOSFET | |
Paquete estándar | 3.000 | |
Categoría | Productos de semiconductor discretos | |
Familia | FETs - solos | |
Serie | - | |
Empaquetado | Cinta y carrete (TR) | |
Tipo del FET | P-canal del MOSFET, óxido de metal | |
Característica del FET | Puerta del nivel de la lógica, impulsión 1.8V | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 20V | |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 4A (TA) | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 43 mOhm @ 4A, 4.5V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) @ Vgs | 17.2nC @ 4.5V | |
Capacitancia entrada (CISS) @ Vds | 1450pF @ 10V | |
Poder - máximo | 1.5W | |
Montaje del tipo | Soporte superficial | |
Paquete/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 | |
Peso | 0,001 KILOGRAMOS | |
Uso | Correo electrónico para los detalles | |
Parte alternativa (reemplazo) | AO3415 | |
Vínculos relacionados | AO3, AO3415 ficha técnica, distribuidor de Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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