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Solo Mosfet IR del canal N del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF 60V

Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Modelo del producto:
IRFB3206PBF
Paquete del proveedor:
TO-220-3
Breve descripción:
Semiconductores
Categoría de producto:
Mosfe
Áreas de aplicación:
Controladores de puerta
Fecha de la fabricación:
Dentro de un año
Resaltar:

Solo transistor de efecto de campo

,

mosfet del canal N 60v

,

IRFB3206PBF

Introducción

Canal N IR 60V del Mosfet del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF solo

 

Gama de productos
 
  • 60V solo canal N IR MOSFET™ en un paquete de TO-220AB
Características del App
  • Optimizado para la disponibilidad más amplia de socios de la distribución
  • Calificación del producto según estándar de JEDEC
  • Paquete del poder del por-agujero del estándar industrial
  • Paquete de gran intensidad de la capacidad que lleva
  • Compatibilidad del proveedor múltiple
  • Nivel de la calificación del estándar industrial
  • El pinout estándar permite descenso en el reemplazo
  • Capacidad que lleva actual creciente
Datos básicos
  
Cualidad de producto Valor del atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Si
A través del agujero
TO-220-3
Canal N
1 canal
60 V
210 A
2,4 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Aumento
Tubo
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Solo
Altura: 15,65 milímetros
Longitud: 10 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
1000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Anchura: 4,4 milímetros
Parte # alias: IRFB3206PBF
Peso de unidad: 0,068784 onzas

 

FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
Uso
 
  •  impresoras 3D
  •  Aparatos electrodomésticos
  •  Control e impulsiones de motor
  •  Herramientas eléctricas
  •  Solución de confianza del semiconductor para los vehículos eléctricos ligeros (LEV)
  •  Motores de BLDC
  •  Motores síncronos trifásicos del imán permanente
  •  Inversores
  •  Medios conductores del puente
  •  Sistemas de control robóticos
  •  Dispositivos
  •  Infraestructura de la rejilla
  •  EPOS • Theate casero
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Chip Diagram

Solo Mosfet IR del canal N del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF 60VSolo Mosfet IR del canal N del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF 60V

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Cuota de producción:
Negotiable