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BLDC viaja en automóvili Mosfet IPB017N10N5 Infineon del poder del transistor de efecto de campo

Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Modelo del producto:
STB24N60DM2
Paquete del proveedor:
TO-263-7
Breve descripción:
OptiMOS
Polaridad del transistor:
Canal N
Áreas de aplicación:
Cambio de aplicaciones
Fecha de la fabricación:
Dentro de un año
Alta luz:

BLDC viaja en automóvili el transistor de efecto de campo

,

Mosfet del poder del transistor de efecto de campo

,

IPB017N10N5

Introducción
Gama de productos
 
  • Los semiconductores del transistor de efecto de campo de IPB017N10N5 Infineon accionan los transistores del Mosfet
  •  
  • Canal N 600 V, tipo 18 del MOSFET de 0,175 ohmios Un MOSFET del poder de MDmesh DM2 en paquete de D2PAK
Características del App
  •  Ideal para los usos del caliente-intercambio y del e-fusible
  •  En-resistencia baja misma RDS (encendido)
  •  Área de funcionamiento seguro amplia SOA
  •  Canal N, nivel normal
  •  la avalancha 100% probó
  •  Pb-freeplating; RoHS obediente
  •  Calificado según JEDEC1para los usos de la blanco
  •  Halógeno-libre según IEC61249-2-21
Datos básicos
Cualidad de producto Valor del atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
Canal N
1 canal
100 V
180 A
1,5 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,2 V
210 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Aumento
OptiMOS
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 27 ns
Transconductancia delantera - minuto: 132 S
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 23 ns
Serie: OptiMOS 5
Cantidad del paquete de la fábrica 1000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 80 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 33 ns
Parte # alias: IPB017N10N5LF SP001503850
Peso de unidad: 0,056438 onzas
FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
Uso
 
  • Usos que cambian
  • Motores de BLDC
  • Motores síncronos trifásicos del imán permanente
  • Inversores
  • Medios conductores del puente
  • Sistemas de control robóticos
  • Dispositivos
  •  Infraestructura de la rejilla
  •  EPOS • Theate casero
  •  Sistemas eléctricos distribuidos
  •  Comunicaciones/infraestructura del establecimiento de una red

 

Proceso de la orden

 

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Chip Diagram

 

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