|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер детали: | TC8020K6-G | Изготовитель: | Технология микросхемы |
|---|---|---|---|
| Описание: | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN | Категория: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы |
| Семья: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы |
| Состояние части | Активный |
|---|---|
| Тип FET | P-канал 6 n и 6 |
| Особенность FET | Стандарт |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 200V |
| Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | - |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | 8 омов @ 1A, 10V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 2.4V @ 1mA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | - |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Сила - Макс | - |
| Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
| Пакет/случай | 56-VFQFN подвергло пусковая площадка действию |
| Пакет прибора поставщика | 56-QFN (8x8) |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Контактное лицо: Darek
Телефон: +8615017926135
