Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3

Оставьте нам сообщение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3

Большие изображения :  Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3

описание
Номер детали: SI1967DH-T1-GE3 Изготовитель: Vishay Siliconix
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 Категория: Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья: Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы Серия: TrenchFET®

Спецификации SI1967DH-T1-GE3

Состояние части Активный
Тип FET P-канал 2 (двойной)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 20V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 1.3A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 490 mOhm @ 910mA, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 4nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 110pF @ 10V
Сила - Макс 1.25W
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет прибора поставщика SC-70-6 (SOT-363)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка SI1967DH-T1-GE3

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3 0Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3 1Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3 2Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI1967DH-T1-GE3 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты