Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMG1024UV-7
Спецификации
Номер детали:
DMG1024UV-7
Изготовитель:
Включаемые диоды
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Введение
Спецификации DMG1024UV-7
Состояние части | Активный |
---|---|
Тип FET | N-канал 2 (двойной) |
Особенность FET | Ворота уровня логики |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 20V |
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 1.38A |
Rds на (Макс) @ id, Vgs | 450 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Id Vgs (th) (Макс) @ | 1V @ 250µA |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
Сила - Макс | 530mW |
Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
Пакет/случай | SOT-563, SOT-666 |
Пакет прибора поставщика | SOT-563 |
Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Упаковка DMG1024UV-7
Обнаружение
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable