|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер детали: | SI1029X-T1-GE3 | Изготовитель: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Описание: | MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 | Категория: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы |
| Семья: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы | Серия: | TrenchFET® |
| Состояние части | Активный |
|---|---|
| Тип FET | N и P-канал |
| Особенность FET | Ворота уровня логики |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 60V |
| Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 305mA, 190mA |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | 1,4 ома @ 500mA, 10V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 2.5V @ 250µA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Сила - Макс | 250mW |
| Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
| Пакет/случай | SOT-563, SOT-666 |
| Пакет прибора поставщика | SC-89-6 |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Контактное лицо: Darek
Телефон: +8615017926135
