Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN32D2LV-7
Категория:
Полевой транзистор
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
DMN32D2LV-7
Изготовитель:
Включаемые диоды
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Введение
Спецификации DMN32D2LV-7
| Состояние части | Активный |
|---|---|
| Тип FET | N-канал 2 (двойной) |
| Особенность FET | Ворота уровня логики |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 30V |
| Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 400mA |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | 1,2 ома @ 100mA, 4V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 1.2V @ 250µA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | - |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 39pF @ 3V |
| Сила - Макс | 400mW |
| Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
| Пакет/случай | SOT-563, SOT-666 |
| Пакет прибора поставщика | SOT-563 |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Упаковка DMN32D2LV-7
Обнаружение
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable