|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер детали: | CSD86330Q3D | Изготовитель: | Texas Instruments |
|---|---|---|---|
| Описание: | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | Категория: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы |
| Семья: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы | Серия: | NexFET™ |
| Состояние части | Активный |
|---|---|
| Тип FET | N-канал 2 (половинный мост) |
| Особенность FET | Ворота уровня логики |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 25V |
| Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 20A |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | 9,6 mOhm @ 14A, 8V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 2.1V @ 250µA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
| Сила - Макс | 6W |
| Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
| Пакет/случай | 8-PowerLDFN |
| Пакет прибора поставщика | 8-LSON (5x6) |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Контактное лицо: Darek
Телефон: +8615017926135
