Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные

Оставьте нам сообщение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные

Большие изображения :  MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные

описание
Номер детали: STS5N15F3 Изготовитель: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC Категория: Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья: Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные Серия: STripFET™ III

Спецификации STS5N15F3

Состояние части Устарелый
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 150V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 5A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) -
Id Vgs (th) (Макс) @ 4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 29nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1300pF @ 25V
Vgs (Макс) -
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 2.5W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 57 mOhm @ 2.5A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика 8-SO
Пакет/случай 8-SOIC (0,154", ширина 3.90mm)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка STS5N15F3

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные 0MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные 1MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные 2MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты