Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные

Оставьте нам сообщение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные

Большие изображения :  MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные

описание
Номер детали: STB100NF03L-03T4 Изготовитель: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Категория: Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья: Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные Серия: STripFET™ III

Спецификации STB100NF03L-03T4

Состояние части Устарелый
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 100A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) -
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.5V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 88nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 6200pF @ 25V
Vgs (Макс) -
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 300W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 3,2 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая температура -55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика D2PAK
Пакет/случай TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка STB100NF03L-03T4

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные 0MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные 1MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные 2MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB100NF03L-03T4 одиночные 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты