MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SUP70040E-GE3 одиночные
Спецификации
Номер детали:
SUP70040E-GE3
Изготовитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Серия:
TrenchFET®
Введение
Спецификации SUP70040E-GE3
Состояние части | Активный |
---|---|
Тип FET | N-канал |
Технология | MOSFET (металлическая окись) |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 100V |
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 120A (Tc) |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | 7.5V, 10V |
Id Vgs (th) (Макс) @ | 4V @ 250µA |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 5100pF @ 50V |
Vgs (Макс) | ±20V |
Особенность FET | - |
Диссипация силы (Макс) | 375W (Tc) |
Rds на (Макс) @ id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
Рабочая температура | -55°C | 175°C (TJ) |
Устанавливать тип | Через отверстие |
Пакет прибора поставщика | TO-220AB |
Пакет/случай | TO-220-3 |
Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Упаковка SUP70040E-GE3
Обнаружение
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable