MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STP34N65M5 одиночные
Спецификации
Номер детали:
STP34N65M5
Изготовитель:
STMicroelectronics
Описание:
MOSFET N-CH 650V 28A TO-220
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Серия:
MDmesh™ v
Введение
Спецификации STP34N65M5
Состояние части | Активный |
---|---|
Тип FET | N-канал |
Технология | MOSFET (металлическая окись) |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 650V |
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 28A (Tc) |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | 10V |
Id Vgs (th) (Макс) @ | 5V @ 250µA |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 62.5nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 2700pF @ 100V |
Vgs (Макс) | ±25V |
Особенность FET | - |
Диссипация силы (Макс) | 190W (Tc) |
Rds на (Макс) @ id, Vgs | 110 mOhm @ 14A, 10V |
Рабочая температура | 150°C (TJ) |
Устанавливать тип | Через отверстие |
Пакет прибора поставщика | TO-220 |
Пакет/случай | TO-220-3 |
Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Упаковка STP34N65M5
Обнаружение
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable