MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3016SFG-7 одиночные
Спецификации
Номер детали:
DMS3016SFG-7
Изготовитель:
Включаемые диоды
Описание:
MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Введение
Спецификации DMS3016SFG-7
Состояние части | Активный |
---|---|
Тип FET | N-канал |
Технология | MOSFET (металлическая окись) |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 30V |
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 7A (животики) |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | - |
Id Vgs (th) (Макс) @ | 2.2V @ 250µA |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 44.6nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 1886pF @ 15V |
Vgs (Макс) | - |
Особенность FET | Диод Schottky (тело) |
Диссипация силы (Макс) | 980mW (животики) |
Rds на (Макс) @ id, Vgs | 13 mOhm @ 11.2A, 10V |
Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
Пакет прибора поставщика | PowerDI3333-8 |
Пакет/случай | 8-PowerWDFN |
Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Упаковка DMS3016SFG-7
Обнаружение
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable