Отправить сообщение
Домой > продукты > Полевой транзистор > MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3016SFG-7 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3016SFG-7 одиночные

Категория:
Полевой транзистор
Цена:
обсуждаемый
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
DMS3016SFG-7
Изготовитель:
Включаемые диоды
Описание:
MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Введение

Спецификации DMS3016SFG-7

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 7A (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) -
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.2V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 44.6nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1886pF @ 15V
Vgs (Макс) -
Особенность FET Диод Schottky (тело)
Диссипация силы (Макс) 980mW (животики)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 13 mOhm @ 11.2A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика PowerDI3333-8
Пакет/случай 8-PowerWDFN
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка DMS3016SFG-7

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3016SFG-7 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3016SFG-7 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3016SFG-7 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3016SFG-7 одиночные

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable