Отправить сообщение
Домой > продукты > Полевой транзистор > MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3024LSS-13 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3024LSS-13 одиночные

Категория:
Полевой транзистор
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Описание:
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
Номер детали:
DMN3024LSS-13
Изготовитель:
Включаемые диоды
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Введение

Спецификации DMN3024LSS-13

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 6.4A (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) -
Id Vgs (th) (Макс) @ 3V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 12.9nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 608pF @ 15V
Vgs (Макс) -
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 1.6W (животики)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика 8-SO
Пакет/случай 8-SOIC (0,154", ширина 3.90mm)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка DMN3024LSS-13

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3024LSS-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3024LSS-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3024LSS-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3024LSS-13 одиночные

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable