Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112

Оставьте нам сообщение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112

Большие изображения :  Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112

описание
Номер детали: CLF1G0035-100,112 Изготовитель: Ampleon США Inc.
Описание: HEMT 150V 12DB SOT467C FET RF Категория: Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Семья: Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF

Спецификации CLF1G0035-100,112

Состояние части Активный
Тип транзистора HEMT
Частота 3GHz
Увеличение 12dB
Напряжение тока - тест 50V
Настоящая оценка -
Диаграмма шума -
Настоящий - тест 330mA
Сила - выход 100W
Расклассифицированное напряжение тока - 150V
Пакет/случай SOT467C
Пакет прибора поставщика SOT467C
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка CLF1G0035-100,112

Обнаружение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112 0Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112 1Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112 2Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты