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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF6150

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF6150

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF6150
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Imagem Grande :  Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF6150

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF6150

descrição
Número da peça: IRF6150 Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições Série: HEXFET®

Especificações IRF6150

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET P-canal 2 (duplo)
Característica do FET Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 7.9A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 3W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 16-FlipFet™
Pacote do dispositivo do fornecedor 16-FlipFet™
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento IRF6150

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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