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SSM6N7002KFU, SE disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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SSM6N7002KFU, SE disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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Imagem Grande :  SSM6N7002KFU, SE disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

SSM6N7002KFU, SE disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

descrição
Número da peça: SSM6N7002KFU, SE Fabricante: Semicondutor e armazenamento de Toshiba
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

SSM6N7002KFU, SE especificações

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 300mA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 1,5 ohms @ 100mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 40pF @ 10V
Poder - máximo 285mW
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote do dispositivo do fornecedor US6
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

SSM6N7002KFU, SE empacotando

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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