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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo FDG6332C_F085

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo FDG6332C_F085

descrição
Número da peça: FDG6332C_F085 Fabricante: Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições Série: Automotivo, AEC-Q101, PowerTrench®

Especificações FDG6332C_F085

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N e P-canal
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 700mA, 600mA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 113pF @ 10V
Poder - máximo 300mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote do dispositivo do fornecedor SC-70-6
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento FDG6332C_F085

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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