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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMC3021LK4-13

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMC3021LK4-13

descrição
Número da peça: DMC3021LK4-13 Fabricante: Diodos incorporados
Descrição: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações DMC3021LK4-13

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N e P-canal, dreno comum
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 9.4A, 6.8A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 21 mOhm @ 7A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 17.4nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 751pF @ 10V
Poder - máximo 2.7W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-252-5, DPak (4 ligações + abas), TO-252AD
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-252-4L
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento DMC3021LK4-13

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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