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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo AON5802B_101

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo AON5802B_101

descrição
Número da peça: AON5802B_101 Fabricante: & alfa; Ômega Semicondutor Inc.
Descrição: MOSFET N-CH DFN DUPLO Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições Série: *

Especificações AON5802B_101

Estado da parte Compra da última vez
Tipo do FET -
Característica do FET -
Drene à tensão da fonte (Vdss) -
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C -
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ -
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo -
Temperatura de funcionamento -
Montando o tipo -
Pacote/caso -
Pacote do dispositivo do fornecedor -
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento AON5802B_101

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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